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| 电子束掺杂的应用——高浓度浅结的形成 | |
| 引用本文： | 李秀琼,孙慧龄,王培大,唐革非,徐嘉东,何彩霞.电子束掺杂的应用——高浓度浅结的形成[J].微细加工技术,1984(4). |
| 作者姓名： | 李秀琼 孙慧龄 王培大 唐革非 徐嘉东 何彩霞 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所电子束加工组 (李秀琼，孙慧龄，王培大，唐革非，徐嘉东)，中国科学院半导体研究所电子束加工组(何彩霞) |
| 摘 要： | 本文叙述了利用电子束掺杂技术形成的浅结,最浅达504(?),载流子峰值浓度大于1×10~(20)/cm~3,其衬底可以是低浓度的,也可以是高浓度的(小于或等于1×10~(19)/cm~3);并利用电子束掺杂技术试制成功硅平面晶体三极管,其性能良好,要使器件的各种参数更加完美,可以通过工艺调整加以实现。 |
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