| 富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性 |
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| 引用本文： | 曾友华,郭亨群,王启明. 富硅氮化硅薄膜的制备及其发光特性[J]. 半导体光电, 2007, 28(2): 209-212 |
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| 作者姓名： | 曾友华 郭亨群 王启明 |
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| 作者单位： | 华侨大学,信息科学与工程学院,福建,泉州,362021;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控反应溅射法制备了氮化硅薄膜.利用X射线衍射谱(XRD)、红外光谱(IR)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),通过与氮气中和空气中退火薄膜比较,对原沉积薄膜进行了成分与结构和发光特性研究.研究发现原沉积薄膜是部分晶化的富硅氮化硅薄膜,薄膜中晶态氮化硅颗粒的平均粒径为33 nm;在氮气中退火后,纳米颗粒增大;在空气中退火后,薄膜被氧化,晶态颗粒消失.在4.67 eV的光激发下,原沉积薄膜中观测到7个强的PL峰,其峰位分别为3.39,3.24,3.05,2.82,2.61,2.37和2.11 eV.在氮气和空气中退火后, PL峰位和强度有变化.对其光致发光机制进行了探讨, 认为硅悬挂键≡Si,氮悬挂键=N,硅错键≡Si-Si≡以及与氧有关的缺陷在富硅氮化硅薄膜高强度荧光发射中起主导作用.
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| 关 键 词： | 纳米材料 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 光致发光 退火 |
| 文章编号： | 1001-5868(2007)02-0209-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-11 |
Preparation and Photoluminescent Properties of Si-rich Silicon Nitride Thin Films |
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| ZENG You-hua,GUO Heng-qun,WANG Qi-ming. Preparation and Photoluminescent Properties of Si-rich Silicon Nitride Thin Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2007, 28(2): 209-212 |
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| Authors: | ZENG You-hua GUO Heng-qun WANG Qi-ming |
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| Affiliation: | 1. College of Information Science and Engineering,Huaqiao University,Quanzhou 362021,CHN; 2. Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanophase materials SiN thin films RF magnetron reaction sputtering photoluminescence thermal annealing |
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