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| FinFET/GAAFET纳电子学与人工智能芯片的新进展(续) | |
| 作者姓名： | 赵正平 |
| 摘 要： | 集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点.综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新进展.在FinFET/GAAFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基CMOS集成... |
| 关 键 词： | 鳍式场效应晶体管(FinFET) 环绕栅场效应晶体管(GAAFET) 互补场效应晶体管(CFET) 人工智能(AI)芯片 图像处理器(GPU) 张量处理器(TPU) 神经网络处理器(NPU) 存储中计算 静态随机存取存储器(SRAM) 电阻式随机存取存储器(RARAM) |