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| EUV技术进入试用 2009年实现量产 | |
| 作者姓名： | 袁斌 |
| 摘 要： | 本报讯记者袁斌报道8月3日,英特尔宣布在远紫外线光刻技术(EUV,用于制造未来微处理器的技术)方面取得两项重要成果。英特尔已安装了全球第一套商用EUV光刻工具,并建立了一条EUV掩模试产线,这表明,该技术已从研发阶段进入试用阶段。英特尔预计,EUV技术将于2009年起用于批量生产。EUV光刻技术采用波长仅为13.5nm的光波,与今天使用的193nm光波相比,它可能成为制造未来芯片所需的解决方案。英特尔将使用微型照射工具(MET)来应对EUV光刻技术开发过程中面临的两大挑战:光刻胶的开发;以及掩模缺陷的影响,MET还将使英特尔能够优化批量生产… |
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