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| CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究 | |
| 引用本文： | 苏毅,谭淞生,王渭源.CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究[J].半导体学报,1993,14(6):375-380. |
| 作者姓名： | 苏毅 谭淞生 王渭源 |
| 摘 要： | 本文采用CF_4、SF_6和NF_3三种腐蚀气体对硅进行反应离子腐蚀,研究了腐蚀表面粗糙度与腐蚀工艺条件(气压、射频功率),附加气体和腐蚀深度等因素之间的关系。并通过SEM和Auger能谱仪分析,探讨了引起腐蚀表面粗糙的原因。 |
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