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155μm InGaAs APD单光子探测中的小脉冲现象
引用本文:熊利,周春源,吴光,丁良恩.155μm InGaAs APD单光子探测中的小脉冲现象[J].半导体光电,2003,24(4):264-266.
作者姓名:熊利  周春源  吴光  丁良恩
作者单位:华东师范大学,光谱学与波谱学重点实验室,上海,200062
基金项目:国家重点技术研究发展规划项目;001CB309301;
摘    要:对InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)在探测单光子过程中出现的小脉冲现象进行了研究,分析了小脉冲的产生原因,并讨论了其对光子计数及时间精度的影响。同时在准单光子条件下进行了试验,并在此基础上提出了改进方案。APD最大输出脉冲峰值约200mV,最大脉宽为30~40ns时,鉴幅电平取其峰值的1/e,同步符合门宽取最大脉宽的2/e,将获得较好的结果。

关 键 词:小脉冲  雪崩光电二极管  单光子探测  光子计数
文章编号:1001-5868(2003)04-0264-03
修稿时间:2003年1月29日

Small-pulse Effect in 1.55 μm InGaAs APD for Single-photon Detection
Abstract:
Keywords:small-pulse effect  avalanche photodiode  single-photon detection  photon counting
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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