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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
1064nm应变量子阱的理论设计
作者姓名:
赵段力
廖柯
吕坤颐
作者单位:
重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065
摘 要:
根据应变理论及脊限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。
关 键 词:
InGaAs/GaAs量子阱
量子尺寸效应
应变效应
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