| 反应磁控溅射法制备二氧化硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 朱春燕,王稳奇,郗华. 反应磁控溅射法制备二氧化硅薄膜的研究[J]. 表面技术, 2010, 39(4): 8-10. DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.003 |
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| 作者姓名： | 朱春燕 王稳奇 郗华 |
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| 作者单位： | 西安工业大学北方信息工程学院,西安,710025;西安工业大学北方信息工程学院,西安,710025;西安工业大学北方信息工程学院,西安,710025 |
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| 基金项目： | 西安工业大学北方信息工程学院院长基金(BXXJJ-1002) |
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| 摘 要： | 采用反应磁控溅射的方法沉积二氧化硅薄膜,研究了二氧化硅薄膜的光学特性,并与用反应离子束溅射方法沉积二氧化硅薄膜进行了对比。实验结果表明:用反应磁控溅射法沉积二氧化硅薄膜,薄膜的折射率、沉积速率主要受反应气体(氧气)浓度的影响,氧气含量超过15%(体积分数)后,溅射过程进入反应模式,沉积速率随氧气浓度增加而降低;入射光波长为630 nm时,薄膜折射率为1.50。对比2种薄膜沉积方法后确定,在二氧化硅薄膜工业生产中,反应磁控溅射方法更为可取。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 二氧化硅薄膜 光学特性 |
| 修稿时间： | 2010-08-10 |
Reactive Magnetron Sputtering Method for Deposition of Silicon Oxide Thin Films |
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| ZHU Chun-yan,WANG Wen-qi and XI Hua. Reactive Magnetron Sputtering Method for Deposition of Silicon Oxide Thin Films[J]. Surface Technology, 2010, 39(4): 8-10. DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.003 |
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| Authors: | ZHU Chun-yan WANG Wen-qi XI Hua |
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| Affiliation: | ZHU Chun-yan,WANG Wen-qi,XI Hua(Xi'an Technological University North Institute of Information Engineering,Xi'an 710025,China) |
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| Abstract: | Optical characteristic of silicon oxide thin films deposited by the reactive magnetron method have been compared to those deposited by the reactive ion-beam sputtering method.Dependences of refractive index and deposition rate on oxygen concentration in Ar/O2 working gas mixture were determined.By the reactive magnetron method at O2 content in working gas mixture more than 15% were deposited silicon oxide films with refractive index 1.50 on the wavelength 630 nm.In case of the the reactive magnetron the SiO... |
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| Keywords: | reactive magnetron method silicon oxide thin films optical characteristic |
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