ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究 |
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引用本文: | 邵乐喜,刘小平,黄惠良.ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究[J].半导体学报,2005,26(13):49-51. |
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作者姓名: | 邵乐喜 刘小平 黄惠良 |
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作者单位: | 湛江师范学院信息科技学院,湛江 524048;湛江师范学院信息科技学院,湛江 524048;国立清华大学电子工程研究所,新竹 300 |
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摘 要: | 结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO∶Al)薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2) ,都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.
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关 键 词: | 铝掺杂氧化锌薄膜 射频溅射 扫描电镜 ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底 |
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