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| ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究 | |
| 作者姓名： | 邵乐喜 刘小平 黄惠良 |
| 作者单位： | 湛江师范学院信息科技学院，湛江 524048;湛江师范学院信息科技学院，湛江 524048;国立清华大学电子工程研究所，新竹 300 |
| 摘 要： | 结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进. |
| 关 键 词： | 铝掺杂氧化锌薄膜；射频溅射；扫描电镜；ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底 |
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