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| Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响 | |
| 作者姓名： | 牛蒙年 丁辛芳 童勤义 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心，中科院上海冶金所传感技术国家重点实验室 |
| 摘 要： | 在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据． |
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