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| 电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命 | |
| 作者姓名： | 戴培英 刘锦成 |
| 作者单位： | 郑州大学物理系，郑州大学物理系，洛阳单晶硅厂，洛阳单晶硅厂 河南省基础及应用科学研究所 450052，河南省基础及应用科学研究所 450052 |
| 摘 要： | <正>近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p~+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得相应的缺陷能级、俘获截面和浓度等参数,并用二极管反向恢复时间法,测量了这些样品的少子寿命.对所得结果作出初步的分析讨论. |
| 关 键 词： | 硅 电子辐照 缺陷 载流子寿命 |
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