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基于太赫兹半导体量子阱器件的光电表征技术及应用
引用本文:谭智勇,曹俊诚.基于太赫兹半导体量子阱器件的光电表征技术及应用[J].中国激光,2019(6):28-41.
作者姓名:谭智勇  曹俊诚
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室;中国科学院大学材料与光电研究中心
基金项目:国家重点研发计划(2017YFF0106302,2017YFA0701005);国家自然科学基金(61775229);上海市科学技术委员会资助的自然科学基金(17ZR1448300);国际合作项目(18590780100)
摘    要:光电表征技术是太赫兹应用技术的重要基础,涵盖了太赫兹频段光电器件表征、光谱测量、光束改善以及通信和成像应用等多个方面,在太赫兹应用领域中发挥着重要作用。介绍了太赫兹频段两种半导体量子器件的工作原理和最新进展,综述了二者在太赫兹脉冲功率测量、探测器响应率标定等光电表征技术中的应用及其在太赫兹快速调制与探测、太赫兹扫描成像系统中的应用,最后介绍了太赫兹光电表征技术的改善,包括激光源光束质量改善和探测器有效探测面积的提高方法等,并给出了器件及表征技术的潜在应用。

关 键 词:太赫兹技术  量子级联激光器  量子阱探测器  光电表征  快速调制与探测

Photoelectric Characterization Technique Based on Terahertz Semiconductor Quantum-Well Devices and Its Applications
Tan Zhiyong,Cao Juncheng.Photoelectric Characterization Technique Based on Terahertz Semiconductor Quantum-Well Devices and Its Applications[J].Chinese Journal of Lasers,2019(6):28-41.
Authors:Tan Zhiyong  Cao Juncheng
Affiliation:(Key Laboratory of Terahertz Solid-State Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing100049,China)
Abstract:Tan Zhiyong;Cao Juncheng(Key Laboratory of Terahertz Solid-State Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing100049,China)
Keywords:terahertz technology  quantum-cascade laser  quantum-well photodetector  photoelectric characterization  fast modulation and detection
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
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