分子束外延制备金单原子台阶样品的工艺参数改进研究

利用常规分子束外延开展单晶金原子台阶标准样品的制备,制备的样品通过扫描隧道显微镜(STM)测试发现,原子台阶数量较少且台阶高度均匀性较差。本课题针对分子束外延制备系统的基底与蒸发源距离、温度、时间、真空度等关键工艺参数进行了改进研究,并利用扫描隧道显微镜(STM)对改进参数后所生长金单原子台阶的质量和高度进行了分析测试,结果表明通过调节基底与蒸发源距离、温度、时间和真空度等工艺过程参数能够实现云母基底金原子的可控生长,为单原子台阶标准物质的制备提供了实践经验。