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基于DICE结构的主-从型抗辐照触发器设计
引用本文:田浩,杨洪强,马骁,何善亮. 基于DICE结构的主-从型抗辐照触发器设计[J]. 微电子学, 2013, 43(1): 65-69
作者姓名:田浩  杨洪强  马骁  何善亮
作者单位:成都国腾电子技术股份有限公司,成都,610041
摘    要:基于双互锁存储单元(DICE)结构,采用TSMC 0.18μm体硅CMOS工艺,设计了一个带复位和清零端的主一从型抗辐照触发器.通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制,使单个存储节点具有抗单粒子翻转的能力.采用多种改进设计,增强抗单粒子瞬态脉冲(single event transient,SET)的能力,并且降低了电路功耗.通过Spectre仿真,测试了触发器的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力,确定了版图设计规则.采用新颖的3倍高度的版图布置及环栅NMOS结构,消除了总剂量效应;采用双保护环,降低了单粒子闩锁效应;最终完成了全方位抗辐照的触发器电路设计.

关 键 词:单粒子效应  辐照加固  双互锁存储单元  触发器

Design of Radiation Hardened Master-Slave Type Flip-Flop Based on DICE
TIAN Hao,YANG Hongqiang,MA Xiao,HE Shanliang. Design of Radiation Hardened Master-Slave Type Flip-Flop Based on DICE[J]. Microelectronics, 2013, 43(1): 65-69
Authors:TIAN Hao  YANG Hongqiang  MA Xiao  HE Shanliang
Affiliation:(Chengdu Goldtel Electronic Technology Co.,Ltd,Chengdu 610041,P.R.China)
Abstract:
Keywords:
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