| 垂直浸渍液相外延Hg1—xCdxTe的生长及性能 |
| |
| 引用本文： | 陈新强,季华美.垂直浸渍液相外延Hg1—xCdxTe的生长及性能[J].功能材料,1993,24(3):231-237. |
| |
| 作者姓名： | 陈新强 季华美 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海技术物理研究所 上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200083，上海 200083 |
| |
| 摘 要： | 本文报导采用汞回流垂直浸渍液相外延方法,在CdTe或CdZnTe(111)面的衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶,其厚度为20μm,面积为1.5×2cm~2,组分x从0.18到0.7,组分均匀性Δx≈0.001。样品经热处理以后,x=0.2的n型样品电子浓度n≈1×10~(15)cm~(-3),电子迁移率μ≈10~5cm~2/v·s,p型样品空穴浓度p≈2×10~(16)cm~(-3),空穴迁移率μ≈300cm~2/v·s,双晶衍射显示样品的半峰宽为90arc sec,X光貌相分析表明外延层晶体结构优良。样品的红外光谱测量,电学参数测量以及载流子寿命测量表明样品具有优良的光电性质。
|
| 关 键 词： | 晶体生长 液相外延 碲镉汞 性能 |
Growth and Characterization of Hg_(1-x)Cd_xTe by means of Vertical Dipping Liquid-Phase Epitaxy |
| |
| Chen Xin-qiang Chu Jun-hao Zhang Shu-ming Zhang Xiao-ping Yu Zhen-zhong Zhou Jie Xing Si-hao Cai Zeng Ji Hua-mei.Growth and Characterization of Hg_(1-x)Cd_xTe by means of Vertical Dipping Liquid-Phase Epitaxy[J].Journal of Functional Materials,1993,24(3):231-237. |
| |
| Authors: | Chen Xin-qiang Chu Jun-hao Zhang Shu-ming Zhang Xiao-ping Yu Zhen-zhong Zhou Jie Xing Si-hao Cai Zeng Ji Hua-mei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | crystall growth liquid-phase-epitaxial Hg_(1-x)Cd_xTe |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
