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| 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的现状及其发展对策探讨 | |
| 引用本文： | 马新生. 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的现状及其发展对策探讨[J]. 电气自动化, 2002, 24(4): 16-18 |
| 作者姓名： | 马新生 |
| 作者单位： | 上海电气(集团)总公司 |
| 摘 要： | 电力电子技术经历了四十年的发展,现在已经成为基础技术之一.它已经从原来的一般工业应用,逐步发展到四个重要的新兴领域,即所谓四个"C":Computer(电脑),Communication(通信),Consumer(消费类电器),Car(汽车). |
| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 MOSFET |
Present Situation of IGBT and Investigation of Its Development Countermeasures |
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