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| 掺杂YAG闪烁晶体研究进展 | |
| 引用本文： | 牛雪姣,徐家跃.掺杂YAG闪烁晶体研究进展[J].材料导报,2014(Z1). |
| 作者姓名： | 牛雪姣 徐家跃 |
| 作者单位： | 上海应用技术学院材料科学与工程学院;上海应用技术学院晶体生长研究所; |
| 基金项目： | 国家973前期研究专项(2011CB612310);上海市科委基础研究重点项目(11JC1412400);上海市教委重点学科(J51504) |
| 摘 要： | 总结了不同离子掺杂YAG晶体的生长、闪烁特性和Ce∶YAG晶体的发光机理。Yb∶YAG晶体具有非常短的衰减时间(0.98ns),但光产额只有约1190phot/MeV。Ce∶YAG晶体的衰减时间为88ns,光产额可达26000phot/MeV,它具有优良的综合性能,已应用于闪烁探测器和大规模集成电路检测。Gd或Gd/Ga等稀土离子与Ce共掺可进一步提高YAG晶体的闪烁性能,最高光产额达44000phot/MeV,衰减时间为56.9ns。 |
| 关 键 词： | YAG晶体 掺杂 闪烁性能 发光机理 |
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