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后续的KOH腐蚀对ZnO纳米棒阵列及性能的影响
作者姓名:李荡  曹晖  刘少友
作者单位:凯里学院化学与材料工程学院;
基金项目:贵州省材料物理与化学特色重点学科建设基金([2011]208);贵州省特色重点实验室建设基金([2011]225);凯里学院教授专项基金(ZS201106)
摘    要:采用化学沉积和KOH腐蚀结合的方法,在FTO导电玻璃上制备了ZnO纳米棒阵列。用XRD、SEM、I-V曲线对ZnO纳米棒阵列的结构和性能进行了表征。结果表明:ZnO纳米棒为单晶,属于六方纤锌矿结构。后续的KOH腐蚀有利于ZnO纳米阵列形貌的改变及光电性能的提高,将ZnO纳米棒阵列作为光阳极制备染料敏化太阳能电池,被KOH腐蚀后的ZnO纳米棒阵列的光电转换效率(η)、短路电流(Jsc)、开路电压(Voc)分别达到1.2%、0.006A/cm2、0.557V,与未被KOH腐蚀的ZnO纳米棒相比,光电转换效率提高了1.05%。

关 键 词:化学沉积  KOH腐蚀  ZnO纳米棒阵列  光电性能
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