| (Ga,Mn)As磁电输运性质的研究进展 |
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| 引用本文： | 罗佳,向钢.(Ga,Mn)As磁电输运性质的研究进展[J].材料导报,2014(5). |
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| 作者姓名： | 罗佳 向钢 |
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| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院;四川大学高能量密度物理与技术教育部重点实验室;四川大学辐射物理与技术教育部重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上基金(11004142);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET11-0351);教育部留学回国人员启动基金 |
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| 摘 要： | 综述了Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As磁电性质的研究进展,尤其是(Ga,Mn)As单层膜和多层膜结构的磁电输运性质的详细研究状况。关于(Ga,Mn)As的结构与物理性质的信息可由单层膜的反常霍尔效应、平面霍尔效应、电阻对温度的依赖关系与磁阻各向异性等磁电输运性质测量得到;而多层膜中观察到的自旋阀效应、自旋相关散射与层间交互耦合等现象,对加深稀磁半导体的基本物性认识、拓展稀磁半导体的实际应用空间非常重要。最后总结并展望了(Ga,Mn)As未来的发展趋势。
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| 关 键 词： | (GaMn)As 磁电输运性质 反常霍尔效应 自旋阀效应 平面霍尔效应 |
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