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碳化硅修饰碳糊电极测定汞离子
作者姓名:郭凌雁  焦晨旭  冯鹏青  戴虹
作者单位:中北大学理学院;
基金项目:山西省科技攻关基金(20120321016-01);煤转化国家重点实验室基金(J13-14-909)
摘    要:制备了碳化硅修饰碳糊电极,利用循环伏安法,采用三电极体系测定汞离子的电化学行为。结果表明,以100mV/s的扫描速度测定pH值为2.33的BR缓冲溶液中的Hg2+时,在0.575V左右出现一个特征吸收峰,峰电压与Hg2+浓度在1.0×10-7~1.0×10-4 mol/L范围内可呈良好的线性关系,相关系数为0.9971,检出限为3.7×10-8 mol/L,连续测定2周,电极表现出较好的稳定性。

关 键 词:碳糊电极  碳化硅  汞(Ⅱ)  循环伏安法
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