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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
碳化硅修饰碳糊电极测定汞离子
作者姓名:
郭凌雁
焦晨旭
冯鹏青
戴虹
作者单位:
中北大学理学院;
基金项目:
山西省科技攻关基金(20120321016-01);煤转化国家重点实验室基金(J13-14-909)
摘 要:
制备了碳化硅修饰碳糊电极,利用循环伏安法,采用三电极体系测定汞离子的电化学行为。结果表明,以100mV/s的扫描速度测定pH值为2.33的BR缓冲溶液中的Hg2+时,在0.575V左右出现一个特征吸收峰,峰电压与Hg2+浓度在1.0×10-7~1.0×10-4 mol/L范围内可呈良好的线性关系,相关系数为0.9971,检出限为3.7×10-8 mol/L,连续测定2周,电极表现出较好的稳定性。
关 键 词:
碳糊电极
碳化硅
汞(Ⅱ)
循环伏安法
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