| 氮化硅晶须显微结构的研究 |
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| 引用本文： | 周延春 常昕. 氮化硅晶须显微结构的研究[J]. 电子显微学报, 1994, 13(2): 90-94 |
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| 作者姓名： | 周延春 常昕 |
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| 作者单位： | 中国科学院金属研究所 |
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| 摘 要： | 利用透射电子显微镜对气固相法制备的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的显微结构进行了研究。实验发现α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须具有何（１０１０），（１０１１）和［０００１］三个生长方向，并且α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须中有大量的生长缺陷。而β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的生长方向只有（１０１０）一个，且几乎观察不到任何缺陷。
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| 关 键 词： | 晶须 显微结构 缺陷 氮化硅 电子显微镜 |
Microstructure of Si_3N_4 Whiskers |
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| Zhou Yanchun Chang Xin Zhou Jing Chen Shengqi Xia Fei. Microstructure of Si_3N_4 Whiskers[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 1994, 13(2): 90-94 |
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| Authors: | Zhou Yanchun Chang Xin Zhou Jing Chen Shengqi Xia Fei |
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| Keywords: | Si_3N_4 Whisker microstructure defects |
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