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大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的研究
引用本文:杜元成,郁曾期,孙迭篪,李富铭.大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的研究[J].电子学报,1986(1).
作者姓名:杜元成  郁曾期  孙迭篪  李富铭
作者单位:复旦大学 (杜元成,郁曾期,孙迭篪),复旦大学(李富铭)
摘    要:本文介绍了一种采用冷阴极大面积电子束对硼离子注入硅片快速退火的实验方法。测试分析结果表明:本法与常规退火方法相比,除了有相同的电激活和晶格恢复之外,还具有快速、低温和杂质再分布影响小等特点。

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