| 一种改进的超低压电压基准源设计 |
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| 引用本文： | 游剑,刘永根,罗萍,张波,李肇基.一种改进的超低压电压基准源设计[J].中国集成电路,2007,16(6):24-27,23. |
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| 作者姓名： | 游剑 刘永根 罗萍 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源。该电路结构简单,电源抑制特性较好,并与传统带隙基准电压的温度特性相似。利用0.5-CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果表明:电源电压为1V时,在-40℃至125℃温度范围内,基准源的温度系数约为11ppm/℃;在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58.6dB和-40dB。
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| 关 键 词： | 电压基准 衬底电压 阈值电压 曲率补偿 |
Improved Design of a Super Low Voltage Reference |
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| You Jian,Liu Yonggen,Luo Ping,Zhang Bo,Li Zhaoji.Improved Design of a Super Low Voltage Reference[J].China Integrated Circuit,2007,16(6):24-27,23. |
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| Authors: | You Jian Liu Yonggen Luo Ping Zhang Bo Li Zhaoji |
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| Affiliation: | State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and technology of China, Chengdu, 610054 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS voltage reference buck voltage threshold voltage curvature compensated |
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