低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片 |
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引用本文: | 无.低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片[J].中国集成电路,2007,16(8):30-31. |
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作者姓名: | 无 |
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作者单位: | [1]宁波立立电子股份有限公司 [2]浙江大学硅材料国家重点实验室 |
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摘 要: | 该产品采用气相掺氮技术,即氮气既作为保护气,又通过与硅熔体反应掺入熔体,是硅晶体中氮的来源,解决了气相掺氮掺入量控制的难题。用气相(氮气)直接掺氮,操作简便,成本低廉,但需要用特殊方法精确控制掺入量。
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关 键 词: | 直拉硅 掺氮 抛光片 缺陷 熔体反应 精确控制 掺入量 气相 |
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