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低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片
引用本文:无.低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片[J].中国集成电路,2007,16(8):30-31.
作者姓名:
作者单位:[1]宁波立立电子股份有限公司 [2]浙江大学硅材料国家重点实验室
摘    要:该产品采用气相掺氮技术,即氮气既作为保护气,又通过与硅熔体反应掺入熔体,是硅晶体中氮的来源,解决了气相掺氮掺入量控制的难题。用气相(氮气)直接掺氮,操作简便,成本低廉,但需要用特殊方法精确控制掺入量。

关 键 词:直拉硅  掺氮  抛光片  缺陷  熔体反应  精确控制  掺入量  气相
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