用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究 |
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引用本文: | 刘雪松,闫桂珍,郝一龙,张海霞. 用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究[J]. 微纳电子技术, 2003, 40(7): 238-240,248 |
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作者姓名: | 刘雪松 闫桂珍 郝一龙 张海霞 |
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作者单位: | 北京大学微电子学研究院,北京,100871 |
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摘 要: | MEMS器件大都含有可动的硅结构,在器件加工过程中,特别是在封装过程中极易受损,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后,加上一层封盖保护,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构,实验证明此方法简单实用,效果良好。该技术与器件制造工艺兼容,键合温度低,有足够的键合强度,不损坏器件结构,实现了MEMS器件的芯片级封装。我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中。
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关 键 词: | MEMS器件 芯片级封装 金-硅键合技术 制造工艺 微电子机械系统 |
文章编号: | 1671-4776(2003)07/08-0238-03 |
Investigation on Au-Si wafer bonding for MEMS device packaging |
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