| 一种新型结构的静电感应晶体管 |
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| 引用本文： | 唐莹,刘肃,李思渊,吴蓉,常鹏.一种新型结构的静电感应晶体管[J].半导体学报,2007,28(6):918-922. |
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| 作者姓名： | 唐莹 刘肃 李思渊 吴蓉 常鹏 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所，兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所，兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所，兰州 730000;兰州交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系，兰州 730070;兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所，兰州 730000 |
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| 摘 要： | 提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.
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| 关 键 词： | 静电感应晶体管 深槽结构 寄生效应 深槽腐蚀 深槽结构 静电感应晶体管 Static Induction Transistor 制造工艺 器件性能 描述 优化 电流的影响 路径 寄生效应 模拟结果 实验 数值 仿真模拟 PSPICE 模型 失效 劣化 切断 环绕 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）06-0918-05 |
| 修稿时间： | 2/12/2007 7:10:10 PM |
A Novel Structure for a Static Induction Transistor |
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| Tang Ying,Liu Su,Li Siyuan,Wu Rong and Chang Peng.A Novel Structure for a Static Induction Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6):918-922. |
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| Authors: | Tang Ying Liu Su Li Siyuan Wu Rong and Chang Peng |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;Institute of Microelectronics,School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;Institute of Microelectronics,School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Electronic and Information Engineering,Lanzhou Jiaotong University,Lanzhou 730070,China;Institute of Microelectronics,School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China |
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| Abstract: | A new structure is presented for designing and fabricating a static induction transistor (SIT).The transistor is designed to be surrounded by a deep groove to cut off the various probable parasitic effects that may degrade the device performance,especially the parallel-current effect.A mathematical model for the parasitic effect of SIT is proposed and simulated with PSPICE.The simulation results agree with the experiments.The novel structure is effective for avoiding the parallel-current effect.The etching technique of the groove is also investigated in depth in this paper. |
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| Keywords: | SIT deep groove structure parasitic effect deep groove etching |
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