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| ZnO基半导体的研究进展——点缺陷、掺杂及接触 | |
| 引用本文： | 孙宜华,李晨辉,熊惟皓.ZnO基半导体的研究进展——点缺陷、掺杂及接触[J].材料导报,2008,22(10). |
| 作者姓名： | 孙宜华 李晨辉 熊惟皓 |
| 作者单位： | 华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室,武汉,430074 |
| 摘 要： | ZnO以其优异的特性正在世界范围内再次掀起新的研究热潮.简要综述了近年来在ZnO点缺陷、掺杂、接触等方面的研究进展.目前,ZnO施主缺陷得到进一步研究和鉴别,P型转变已经初步实现,ZnO与金属的接触也得到了研究和改进,但仍存在许多极富挑战性的课题,有待于从掺杂机理、缺陷化学、材料设计及其制备技术等方面进一步地创新与研究. |
| 关 键 词： | 点缺陷 掺杂 接触 |
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