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高速高精度双极器件工艺
引用本文:
戴玲华.高速高精度双极器件工艺[J].微纳电子技术,1985(5).
作者姓名:
戴玲华
摘 要:
<正> 据报道松下电器产业最近发表了一种高速高精度双极晶体管的制造工艺。该工艺采用选择氧化法使发射区集电区自对准,采用由同一窗口的离子注入来形成有源基区和发射区的所谓SMASH-1],用多晶硅进行掩埋隔离。最后制造成更高速高精度的
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