| LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计 |
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| 引用本文： | 邓兰萍,王纪民. LDMOS低功耗自恢复电平移位电路设计[J]. 半导体学报, 2005, 26(10): 2028-2031 |
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| 作者姓名： | 邓兰萍 王纪民 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 设计了一个新型的薄栅氧、低功耗、自恢复的电平移位栅电压控制电路. 在20V工作电压下，n沟道和p沟道LDMOS高压器件的栅源电压Vgs分别保持在±5V. 当一个选址周期结束后，电路能自动复位而不需增加任何复位器件和电路. 该电路为高低压兼容，采用标准0.5μm CMOS-LDMOS兼容工艺制造，可用于OLED显示的驱动控制.
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| 关 键 词： | 薄栅氧 低功耗 自恢复 电平移位 LDMOS |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）10-2028-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-11 |
| 修稿时间： | 2005-04-25 |
A Lower Power Consumption,Self Returning Voltage Level Shifter Circuit Implemented with LDMOS |
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| Deng Lanping,Wang Jimin. A Lower Power Consumption,Self Returning Voltage Level Shifter Circuit Implemented with LDMOS[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(10): 2028-2031 |
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| Authors: | Deng Lanping Wang Jimin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin gate oxide low power consumption self-returning ability level shifter LDMOS |
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