| 用于大功率微波器件的新型薄膜衰减材料 |
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| 引用本文： | 张永清,丁耀根. 用于大功率微波器件的新型薄膜衰减材料[J]. 真空电子技术, 2004, 0(3): 20-22,26 |
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| 作者姓名： | 张永清 丁耀根 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院电子学研究所,微波器件中心,北京,100080;太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024
2. 中国科学院电子学研究所,微波器件中心,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 根据大功率微波电真空器件中衰减材料的作用及对衰减材料的要求,介绍了一种新型的FeSiAl薄膜衰减材料,并对这一材料的特点、微观结构及衰减机制进行了分析.
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| 关 键 词： | 微波 衰减材料 薄膜 |
| 文章编号： | 1002-8935(2004)03-0020-03 |
A New Film Microwave Attenuating Material for High Power Microwave Devices |
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| ZHANG Yong-qing. A New Film Microwave Attenuating Material for High Power Microwave Devices[J]. Vacuum Electronics, 2004, 0(3): 20-22,26 |
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| Authors: | ZHANG Yong-qing |
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| Affiliation: | ZHANG Yong-qing~ |
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| Abstract: | On the basis of the function of microwave attenuating material and the demand for it in high power microwave devices, a new film microwave attenuating material FeSiAl was introduced, and its characteristics, microstructure and attenuating mechanism were also discussed. |
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| Keywords: | FeSiAl |
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