| 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性 |
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| 引用本文： | 董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,林兰英.非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性[J].半导体学报,2002,23(1):53-56. |
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| 作者姓名： | 董宏伟 赵有文 焦景华 赵建群 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学开放实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院科研项目;; |
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| 摘 要： | 对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究.非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料.但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性.纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到106Ω·cm和1800cm2/(V·s);而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达107Ω*cm和3000cm2/(V*s)以上.对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL-Mapping结果进一步比较表明:在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘材料的均匀性最好,而在纯磷气氛下制备的半绝缘磷化铟的均匀性较差.
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| 关 键 词： | 磷化铟(InP) 非掺 半绝缘 均匀性 霍耳(Hall) PL-Mapping |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)01-0053-04 |
| 修稿时间： | 2001年5月24日 |
Uniformity of Undoped Semi-Insulating Indium Phosphide Wafers |
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