| 一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件 |
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| 引用本文： | G.Aloise,M.-A.Kutschak,D.Zipprick H.Kapels,A.Ludsteck-Pechloff,查祎英,高一星,胡冬青.一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件[J].电力电子,2010(5). |
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| 作者姓名： | G.Aloise M.-A.Kutschak D.Zipprick H.Kapels A.Ludsteck-Pechloff 查祎英 高一星 胡冬青 |
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| 作者单位： | Infineon;Technologies Austria AG;Technologies AG;北京工业大学电控学院; |
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| 摘 要： | 新型CoolMOS~(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Q_(rr)和t_(rr)的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这种具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。
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| 关 键 词： | 恢复电荷 新型 坚固度 阻断电压 开关损耗 最大值 反向恢复电流 器件综合 软硬 二极管 |
A new 650V super junction device with rugged body diode for hard and soft switching applications |
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| AInfineon Technologies Austria AG,G.Aloise,M.-A.Kutschak BInfineon Technologies AG,D.Zipprick H.Kapels,A.Ludsteck-Pechloff.A new 650V super junction device with rugged body diode for hard and soft switching applications[J].Power Electronics,2010(5). |
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| Authors: | AInfineon Technologies Austria AG GAloise M-AKutschak BInfineon Technologies AG DZipprick HKapels ALudsteck-Pechloff |
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| Affiliation: | A)Infineon Technologies Austria AG,G.Aloise,M.-A.Kutschak B)Infineon Technologies AG,D.Zipprick H.Kapels,A.Ludsteck-Pechloff |
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