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| 多晶硅薄膜压阻器件 | |
| 引用本文： | 王善慈,卢慧斌,徐秀华,蔡浩一,邓春阳,陶文忠.多晶硅薄膜压阻器件[J].传感器与微系统,1987(Z1). |
| 作者姓名： | 王善慈 卢慧斌 徐秀华 蔡浩一 邓春阳 陶文忠 |
| 作者单位： | 电子部第49所 (王善慈，卢慧斌，徐秀华，蔡浩一，邓春阳)，电子部第49所(陶文忠) |
| 摘 要： | <正> 利用半导体压阻效应的压力传感器,由于信息处理技术的进步,正面向高精度、高灵敏、高可靠、低成本发展。其主流是用单晶硅制造的扩散型压力传感器。但最近,使用不同的材料作衬底,通过SiO_2等做绝缘,在其上沉积多晶硅薄膜的SOI结构的压力传感器由于可望制低成本耐高温及抗腐蚀性强的压力传感器 |
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