LEC SI GaAs离子注硅的退火方法及其在微波功率MESFET中的应用研究

本文主要介绍LEC SI GaAs离子注硅的退火方法及其在微波功率MES FET中应用研究结果。采用我们试验成功的一种独特的半密闭退火系统,研究了不同退火方式诸如CVDSiO_2包封,PECVDSiN_x包封以及GaAs贴面的无包封退火效果。采用在LEC SI GaAs衬底上选择注硅并用GaAs贴面作无包封退火,以及用CVD SiO_2包封退火的方法制备GaAs MES FET有源层,已达到15GHz下输出功率140mW,相应增益4.5dB的参数指标,为目前国内同类器件最高水平。该器件已通过产品鉴定。