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带启动迟滞的大电流驱动高压基准电路
引用本文:张艳维,李新泉,朱章华. 带启动迟滞的大电流驱动高压基准电路[J]. 微电子学, 2007, 37(1): 109-112
作者姓名:张艳维  李新泉  朱章华
作者单位:西安电子科技大学,电路CAD研究所,陕西,西安,710071
摘    要:设计了一种具有大电流驱动能力的新型带启动迟滞的高压基准电路。该电路不仅极大地提高了传统基准电路的精度和稳定性,而且具有较大的电流驱动能力,可应用于双模式有源功率因数校正电路。采用UMC 0.6μm BCD工艺模型进行仿真,仿真结果显示,该电路所产生的基准电压精度为23 ppm/℃,且受电源电压和温度变化的影响很小。

关 键 词:电压基准  启动迟滞  电流驱动
文章编号:1004-3365(2007)01-0109-04
修稿时间:2006-06-292006-08-31

A High Voltage Reference Circuit with Startup Hysteresis and High Current Driving Ability
ZHANG Yan-wei,LI Xin-quan,ZHU Zhang-hua. A High Voltage Reference Circuit with Startup Hysteresis and High Current Driving Ability[J]. Microelectronics, 2007, 37(1): 109-112
Authors:ZHANG Yan-wei  LI Xin-quan  ZHU Zhang-hua
Abstract:
Keywords:BCD
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