| 掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 葛水兵,程珊华,宁兆元,沈明荣,甘肇强,周咏东,褚君浩. 掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(1): 55-58 |
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| 作者姓名： | 葛水兵 程珊华 宁兆元 沈明荣 甘肇强 周咏东 褚君浩 |
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| 作者单位： | 1. 苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006
2. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 掺杂比 透明导电膜 |
EFFECTS OF DOPANT RATIO ON ZnO:Al FILM BY PULSED LASER DEPOSITION |
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| GE Shui-bing,CHENG Shan-hua,NING Zhao-yuan,SHEN Ming-rong,GAN Zhao-qiang. EFFECTS OF DOPANT RATIO ON ZnO:Al FILM BY PULSED LASER DEPOSITION[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(1): 55-58 |
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| Authors: | GE Shui-bing CHENG Shan-hua NING Zhao-yuan SHEN Ming-rong GAN Zhao-qiang |
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| Keywords: | Pulsed laser deposition Zinc oxide films Dopant ratio |
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