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| 硅中铂能级的DLTS研究 | |
| 引用本文： | 游志朴,龚敏,陈继镛,崔新强.硅中铂能级的DLTS研究[J].半导体学报,1986,7(1):85-88. |
| 作者姓名： | 游志朴 龚敏 陈继镛 崔新强 |
| 作者单位： | 四川大学物理系 (游志朴，龚敏，陈继镛)，四川大学物理系(崔新强) |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样品.分析各种样品的测试结果得到:过去报道在p~+nn~+深结中测得的Ec—0.34eV能级并不存在于N型硅中,该DLTS谱峰来源于p~+nn~+结P型区内的空穴发射. |
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