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| 工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响 | |
| 作者姓名： | 邓金祥 谭利文 王波 严辉 陈光华 |
| 作者单位： | 北京工业大学应用物理系,北京,100022 |
| 摘 要： | 本文报道了工作气压对射频溅射法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜影响的实验结果.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,溅射靶为六角氮化硼(h-BN),工作气体为Ar气和N2气混合而成,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.结果表明,与射频功率、衬底温度和衬底负偏压一样,工作气压也是影响c-BN薄膜生长的重要参数.要得到一定立方相含量的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压,否则,薄膜中不能形成立方相.在工作气压为5×10-3乇时,得到了立方相含量在90%以上的立方氮化硼薄膜. |
| 关 键 词： | 立方氮化硼 射频溅射 工作气压 |
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