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| 退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响 | |
| 引用本文： | 唐文国,王富朝,李自元,沈学础.退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响[J].红外与毫米波学报,1989,8(3). |
| 作者姓名： | 唐文国 王富朝 李自元 沈学础 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 上海，上海 浙江农业大学，上海，上海 |
| 摘 要： | 研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 非晶半导体 红外吸收 光致发光 |
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