多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响 |
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作者姓名: | 张国强 赵元富 |
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摘 要: | 分析研究了H2+O2合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注F和P的沟和N沟NOSFET,在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ids-Vgs亚阈特性的辐射影响应。结果表明,多晶硅栅光刻前注F比光刻后注F和未注F,具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为SiO2栅介质和Si/SiO2界面附近F的浓度相对较大以及栅场介质中F注入缺陷相对较少所致。
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关 键 词: | MOS器件 辐照特性 多晶硅栅 光刻 氟 |
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