高质量GaAs—AlGaAs材料MBE生长研究及其应用 |
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引用本文: | 杨国文,肖建伟.高质量GaAs—AlGaAs材料MBE生长研究及其应用[J].半导体学报,1995,16(8):627-631. |
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作者姓名: | 杨国文 肖建伟 |
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摘 要: | 通过对分子束外延中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析,实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学,光学特性的GaAs、AlGaAs单昌材料,实现了75mm大面积范围内的厚度,组分和掺杂等的很好均匀性。研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低值电流密度低内损耗,高量子效率的高质量量子阱激光器外延材料。
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关 键 词: | 砷化镓 砷镓化铝 分子束外延生长 超晶格 |
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