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| 不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究 | |
| 引用本文： | 朱南昌,陈京一,李润射,许顺生,周国良,张翔九,俞鸣人.不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究[J].半导体学报,1995,16(2):118-124. |
| 作者姓名： | 朱南昌 陈京一 李润射 许顺生 周国良 张翔九 俞鸣人 |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海冶金研究所，上海200050 [2]复旦大学表面 |
| 摘 要： | 本文通过Ｘ射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５／Ｓｉ应变层超晶格的结构及其完整性，结果表明：在３５０－５５０℃的低温生长条件下，可生长出较高质量的超晶棺材料，并且在３５０℃时质量最好．在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错，并与生长温度有关．周期厚度有４％以内的波动，层与层之间有轻微的混元，观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象，并进行了讨论． |
| 关 键 词： | 超晶格材料 X射线 双晶衍射 生长 外延生长 |
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