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| MeV~（28）Si~＋注入GaAs的两步快退火行为 | |
| 引用本文： | 张燕文,姬成周,李国辉,王文勋.MeV~（28）Si~＋注入GaAs的两步快退火行为[J].半导体学报,1995,16(1):36-41. |
| 作者姓名： | 张燕文 姬成周 李国辉 王文勋 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
| 摘 要： | 从电特性、激活能、应力和剩余损伤几个方面，对ＧａＡｓ晶体中以较大剂量注入的ＭｅＶ硅原子在一步快退火、两步快退火下的行为进行了分析．经过两步快退火处理的样品，剩余位错环密度降低，晶格应力消除，注入区的结晶品质得到改善，硅原子替位所需激活能较小，提高了注入杂质电激活效率和迁移率，降低了薄层电阻．两步快退火使注入杂质在大多数辐射损伤消除后更易激活，特别适用于大剂量ＭｅＶ硅注入后的退火处理． |
| 关 键 词： | 砷化镓 离子注入 退火 掺杂 |
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