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| SiO_2全封闭的硅量子线列阵 | |
| 作者姓名： | 施毅 刘建林 汪峰 张荣 韩平 余是东 张学渊 顾书林 胡立群 茅保华 郑有 |
| 作者单位： | 南京大学物理系，南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸． |
| 关 键 词： | 二氧化硅 硅 量子线 化合物半导体 |
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