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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
SiO_2全封闭的硅量子线列阵
作者姓名:
施毅
刘建林
汪峰
张荣
韩平
余是东
张学渊
顾书林
胡立群
茅保华
郑有
作者单位:
南京大学物理系,南京电子器件研究所
摘 要:
采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术,成功地在硅单晶衬底上制作了SiO2全封闭结构的硅量产线列阵.扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构.实验表明,通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸.
关 键 词:
二氧化硅 硅 量子线 化合物半导体
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