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| Si1—xGex合金的浅杂质光电导谱 | |
| 引用本文： | 石晓红 Schil.,J.Si1—xGex合金的浅杂质光电导谱[J].半导体学报,1995,16(8):632-635. |
| 作者姓名： | 石晓红 Schil. J |
| 摘 要： | 在４．２－５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ１－ｘ－Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的自旋－轨道分裂带相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能。 |
| 关 键 词： | 硅锗合金 半导体材料 光电导谱 杂质 |
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