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| 嵌于多孔硅的C_（60）的光致发光 | |
| 引用本文： | 阎锋,鲍希茂,吴晓薇,陈慧兰.嵌于多孔硅的C_（60）的光致发光[J].半导体学报,1995,16(12):942-946. |
| 作者姓名： | 阎锋 鲍希茂 吴晓薇 陈慧兰 |
| 作者单位： | 南京大学物理系和固体物理研究所，南京大学配位化学国家重点实验室 |
| 摘 要： | 在室温下观察到嵌于多孔硅中的Ｃ６０分子有强可见光发射．除观察到了多晶状态的Ｃ６０分子峰位在７３０ｎｍ的特征谱外，还检测到了与多孔硅毗连或偶联的Ｃ６０分子的发射光谱，其主峰分别出现在６２０ｎｍ和６３０ｎｍ．嵌于多孔硅的Ｃ６０的发光强度增强可用激发载流子由多孔硅向Ｃ６０分子的转移效应解释． |
| 关 键 词： | 多孔硅 碳60 光致发光 半导体材料 |
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