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| Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的研究 | |
| 引用本文： | 王永晨,刘明成,叶维祎,王玉芳,赵杰.Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的研究[J].半导体学报,1995,16(9):700-705. |
| 作者姓名： | 王永晨 刘明成 叶维祎 王玉芳 赵杰 |
| 作者单位： | 天津师范大学分析测试中心，天津师范大学物理系 |
| 摘 要： | 本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且有好的载流子剖面分布．文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Ｓｉ＋、Ａｓ＋双注入的载流子浓度剖面分布． |
| 关 键 词： | 硅离子 砷离子 离子注入 砷化镓 半绝缘砷化镓 |
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