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| Si0.5Ge0.5合金的热氧化物的研究 | |
| 引用本文： | 邢益荣,殷士瑞.Si0.5Ge0.5合金的热氧化物的研究[J].半导体学报,1995,16(7):491-495. |
| 作者姓名： | 邢益荣 殷士瑞 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院物理研究所，英国Ｓｕｒｒｅｙ大学电子工程系 |
| 摘 要： | 利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱和俄歇电子能谱分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明：这种氧化物为双层结构。靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近。 |
| 关 键 词： | 半导体材料 硅锗合金 热氧化物 |
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