Si0.5Ge0.5合金的热氧化物的研究 |
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引用本文: | 邢益荣,殷士瑞.Si0.5Ge0.5合金的热氧化物的研究[J].半导体学报,1995,16(7):491-495. |
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作者姓名: | 邢益荣 殷士瑞 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,中国科学院物理研究所,英国Surrey大学电子工程系 |
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摘 要: | 利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱和俄歇电子能谱分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明:这种氧化物为双层结构。靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近。
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关 键 词: | 半导体材料 硅锗合金 热氧化物 |
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