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| SiO2钝化膜对硅／玻璃静电键合的影响 | |
| 引用本文： | 黄庆安,童勤义.SiO2钝化膜对硅／玻璃静电键合的影响[J].半导体学报,1995,16(5):391-394. |
| 作者姓名： | 黄庆安 童勤义 |
| 摘 要： | 本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用。SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击宽电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般SiO2厚度要小于0．5μm。 |
| 关 键 词： | 静电键合 硅 玻璃 二氧化硅 钝化膜 微传感器 |
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